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EPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT
제품 모델:
EPC2108ENGRT
제조사:
EPC
기술:
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
58127 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
EPC2108ENGRT.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
제조업체 장치 패키지:9-BGA (1.35x1.35)
연속:eGaN®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
전력 - 최대:-
포장:Original-Reel®
패키지 / 케이스:9-VFBGA
다른 이름들:917-EPC2108ENGRDKR
작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:22pF @ 30V, 7pF @ 30V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
FET 유형:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET 특징:GaNFET (Gallium Nitride)
소스 전압에 드레인 (Vdss):60V, 100V
상세 설명:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):1.7A, 500mA
Email:[email protected]

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