русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > EPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT
Тип продуктов:
EPC2108ENGRT
производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
58127 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
EPC2108ENGRT.pdf
запрос

Введение

We can supply EPC2108ENGRT, use the request quote form to request EPC2108ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2108ENGRT.The price and lead time for EPC2108ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2108ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Поставщик Упаковка устройства:9-BGA (1.35x1.35)
Серии:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Мощность - Макс:-
упаковка:Original-Reel®
Упаковка /:9-VFBGA
Другие названия:917-EPC2108ENGRDKR
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Тип FET:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET Характеристика:GaNFET (Gallium Nitride)
Слить к источнику напряжения (VDSS):60V, 100V
Подробное описание:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для EPC2108ENGRT

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE запрос
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE запрос
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE запрос
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA запрос
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE запрос
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE запрос
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE запрос
EPC2202 Image EPC2202 EPC GANFET N-CH 80V 18A DIE запрос
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE запрос
EPC2801 Image EPC2801 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE запрос
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID запрос
EPC2112ENGRT Image EPC2112ENGRT EPC 200 V GAN IC FET DRIVER запрос
EPC2203 Image EPC2203 EPC GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR запрос
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID запрос
EPC2815 Image EPC2815 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE запрос
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE запрос
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE запрос
EPC2115ENGRT Image EPC2115ENGRT EPC 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER запрос
EPC2111ENGRT Image EPC2111ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID запрос
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA запрос

Latest Новости