русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
Тип продуктов:
EPC2106ENGRT
производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
38222 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
EPC2106ENGRT.pdf
запрос

Введение

We can supply EPC2106ENGRT, use the request quote form to request EPC2106ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2106ENGRT.The price and lead time for EPC2106ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2106ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:2.5V @ 600µA
Поставщик Упаковка устройства:Die
Серии:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 2A, 5V
Мощность - Макс:-
упаковка:Original-Reel®
Упаковка /:Die
Другие названия:917-EPC2106ENGRDKR
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:16 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:75pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:0.73nC @ 5V
Тип FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Характеристика:GaNFET (Gallium Nitride)
Слить к источнику напряжения (VDSS):100V
Подробное описание:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:1.7A
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для EPC2106ENGRT

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA запрос
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE запрос
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG запрос
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE запрос
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V запрос
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA запрос
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE запрос
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE запрос
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG запрос
EPC2112ENGRT Image EPC2112ENGRT EPC 200 V GAN IC FET DRIVER запрос
EPC2111ENGRT Image EPC2111ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID запрос
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID запрос
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE запрос
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE запрос
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE запрос
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE запрос
EPC2115ENGRT Image EPC2115ENGRT EPC 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER запрос
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE запрос
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID запрос
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE запрос

Latest Новости