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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
Modello di prodotti:
EPC2106ENGRT
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
38222 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
EPC2106ENGRT.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 600µA
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:70 mOhm @ 2A, 5V
Potenza - Max:-
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-EPC2106ENGRDKR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:75pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.73nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.7A
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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