Scheda linea

EPC

- EPC è il leader in dispositivi di gestione dell'alimentazione basati su nitruro di gallio in modalità miglioramento. EPC è stato il primo a introdurre FET in gallio-nitruro su silicio (eGaN) in modalità potenziamento come sostituti MOSFET di potenza in applicazioni quali convertitori DC-DC, trasferimento di potenza wireless, tracciamento buste, trasmissione RF, inverter di potenza, tecnologia di telerilevamento ( LiDAR) e amplificatori audio di classe D con prestazioni del dispositivo molte volte superiori ai migliori MOSFET di silicio.

Modello di prodotti	Descrizione	vista
EPC2007C	TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2101	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	Inchiesta
EPC2049ENGRT	TRANS GAN 40V BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2010	TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2108ENGRT	TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2111	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	Inchiesta
EPC2020	TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2039ENGRT	TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2102	TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG	Inchiesta
EPC2108	MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA	Inchiesta
EPC2040	MOSFET NCH 15V 3.4A DIE	Inchiesta
EPC2016C	TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2051ENGRT	TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR	Inchiesta
EPC2039	TRANS GAN 80V BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2037ENGR	TRANS GAN 100V BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2106ENGRT	TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2025ENGR	TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2112ENGRT	200 V GAN IC FET DRIVER	Inchiesta
EPC2106	TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2033	TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2025	TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2103ENGRT	TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V	Inchiesta
EPC2015	TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2105	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	Inchiesta
EPC2038ENGR	TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2100	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	Inchiesta
EPC2100ENG	TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2014C	TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2018	TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2115ENGRT	150 V GAN IC DUAL FET DRIVER	Inchiesta
EPC2007	TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2019	TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2034ENGRT	TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2110	MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE	Inchiesta
EPC2023ENG	TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2100ENGRT	MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE	Inchiesta
EPC2104	TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG	Inchiesta
EPC2036	TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2034	TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2047ENGRT	TRANS GAN 200V BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2105ENGRT	MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE	Inchiesta
EPC2032ENGRT	TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2021	TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2023ENGR	TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2030	MOSFET NCH 40V 31A DIE	Inchiesta
EPC2107ENGRT	TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2022	TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2035	TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE	Inchiesta
EPC2031ENGRT	MOSFET NCH 60V 31A DIE	Inchiesta
EPC2107	MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA	Inchiesta

Records 90

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