Português
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Sobre Nós | Contacte-nos | Solicitar um orçamento |
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
Modelo do Produto:
EPC2106ENGRT
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
38222 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
EPC2106ENGRT.pdf
inquérito

Introdução

We can supply EPC2106ENGRT, use the request quote form to request EPC2106ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2106ENGRT.The price and lead time for EPC2106ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2106ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 600µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die
Série:eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:70 mOhm @ 2A, 5V
Power - Max:-
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:Die
Outros nomes:917-EPC2106ENGRDKR
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:75pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.73nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.7A
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações

Peças relacionadas para EPC2106ENGRT

Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA inquérito
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE inquérito
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG inquérito
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE inquérito
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V inquérito
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA inquérito
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE inquérito
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE inquérito
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG inquérito
EPC2112ENGRT Image EPC2112ENGRT EPC 200 V GAN IC FET DRIVER inquérito
EPC2111ENGRT Image EPC2111ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID inquérito
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID inquérito
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE inquérito
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE inquérito
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE inquérito
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE inquérito
EPC2115ENGRT Image EPC2115ENGRT EPC 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER inquérito
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE inquérito
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID inquérito
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE inquérito

Latest Notícias