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EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
제품 모델:
EPC2106ENGRT
제조사:
EPC
기술:
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
38222 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
EPC2106ENGRT.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 600µA
제조업체 장치 패키지:Die
연속:eGaN®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):70 mOhm @ 2A, 5V
전력 - 최대:-
포장:Original-Reel®
패키지 / 케이스:Die
다른 이름들:917-EPC2106ENGRDKR
작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:16 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:75pF @ 50V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:0.73nC @ 5V
FET 유형:2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징:GaNFET (Gallium Nitride)
소스 전압에 드레인 (Vdss):100V
상세 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):1.7A
Email:[email protected]

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