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EPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT
Número de pieza:
EPC2108ENGRT
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
58127 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
EPC2108ENGRT.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Paquete del dispositivo:9-BGA (1.35x1.35)
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Potencia - Max:-
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:9-VFBGA
Otros nombres:917-EPC2108ENGRDKR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Tipo FET:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Característica de FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V, 100V
Descripción detallada:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

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