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EPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT
Artikelnummer:
EPC2108ENGRT
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
58127 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
EPC2108ENGRT.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Unused, Original Packing
Ursprung Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device-Gehäuse:9-BGA (1.35x1.35)
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Leistung - max:-
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:9-VFBGA
Andere Namen:917-EPC2108ENGRDKR
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Typ FET:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-Merkmal:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V, 100V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

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