Deutsch
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Über uns | Kontakt | Angebot anfordern |
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > EPC2107
EPC2107
EPC2107
Artikelnummer:
EPC2107
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
61757 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
EPC2107.pdf
Anfrage

Einführung

We can supply EPC2107, use the request quote form to request EPC2107 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2107.The price and lead time for EPC2107 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2107.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spezifikation

Bedingung New & Unused, Original Packing
Ursprung Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device-Gehäuse:9-BGA (1.35x1.35)
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Leistung - max:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:9-VFBGA
Andere Namen:917-1168-2
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Typ FET:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-Merkmal:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung

In Verbindung stehende Teile für EPC2107

Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Anfrage
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Anfrage
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE Anfrage
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Anfrage
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE Anfrage
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Anfrage
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Anfrage
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Anfrage
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE Anfrage
EPC2202 Image EPC2202 EPC GANFET N-CH 80V 18A DIE Anfrage
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA Anfrage
EPC2111ENGRT Image EPC2111ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Anfrage
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Anfrage
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Anfrage
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE Anfrage
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Anfrage
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE Anfrage
EPC2112ENGRT Image EPC2112ENGRT EPC 200 V GAN IC FET DRIVER Anfrage
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE Anfrage
EPC2115ENGRT Image EPC2115ENGRT EPC 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER Anfrage

läst Nachrichten