Bedingung | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 7mA |
Supplier Device-Gehäuse: | Die |
Serie: | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
Leistung - max: | - |
Verpackung: | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse: | Die |
Andere Namen: | 917-1146-1 917-1146-1-ND 917-EPC2103ENGRCT |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 7600pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.5nC @ 5V |
Typ FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Merkmal: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 80V |
detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 23A |
Email: | [email protected] |