状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5V @ 7mA |
サプライヤデバイスパッケージ: | Die |
シリーズ: | eGaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
電力 - 最大: | - |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | Die |
他の名前: | 917-1146-1 917-1146-1-ND 917-EPC2103ENGRCT |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 7600pF @ 40V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 6.5nC @ 5V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特長: | GaNFET (Gallium Nitride) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 80V |
詳細な説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 23A |
Email: | [email protected] |