状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
サプライヤデバイスパッケージ: | Die |
シリーズ: | eGaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
電力 - 最大: | - |
パッケージング: | Tray |
パッケージ/ケース: | Die |
他の名前: | 917-EPC2100ENG EPC2100ENGR_H1 EPC2100ENGRH1 |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特長: | GaNFET (Gallium Nitride) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
詳細な説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 10A (Ta), 40A (Ta) |
Email: | [email protected] |