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EPC2101
EPC2101
Artikelnummer:
EPC2101
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15319 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
EPC2101.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Unused, Original Packing
Ursprung Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Leistung - max:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-1181-2
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:9.5A, 38A
Email:[email protected]

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