Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > EPC2101
EPC2101
EPC2101
Modèle de produit:
EPC2101
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15319 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
EPC2101.pdf
Enquête

introduction

We can supply EPC2101, use the request quote form to request EPC2101 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2101.The price and lead time for EPC2101 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2101.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Puissance - Max:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-1181-2
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9.5A, 38A
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes EPC2101

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
EPC2046ENGRT Image EPC2046ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE Enquête
EPC2049ENGRT EPC TRANS GAN 40V BUMPED DIE Enquête
EPC2100 Image EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Enquête
EPC2101ENG Image EPC2101ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Enquête
EPC2100ENGRT Image EPC2100ENGRT EPC MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE Enquête
EPC2040ENGRT Image EPC2040ENGRT EPC TRANS GAN 15V BUMPED DIE Enquête
EPC2050ENGRT Image EPC2050ENGRT EPC TRANS GAN 350V BUMPED DIE Enquête
EPC2102ENG Image EPC2102ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Enquête
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Enquête
EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE Enquête
EPC2047ENGRT Image EPC2047ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE Enquête
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Enquête
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Enquête
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Enquête
EPC2100ENG Image EPC2100ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE Enquête
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Enquête
EPC2051ENGRT Image EPC2051ENGRT EPC TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR Enquête
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Enquête
EPC2045ENGRT Image EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Enquête
EPC2102 Image EPC2102 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Enquête

Latest Nouvelles