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EPC2101
EPC2101
Modello di prodotti:
EPC2101
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15319 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
EPC2101.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Potenza - Max:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1181-2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9.5A, 38A
Email:[email protected]

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