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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > EPC2110
EPC2110
EPC2110
Número de pieza:
EPC2110
Fabricante:
EPC
Descripción:
MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16791 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
EPC2110.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 700µA
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:60 mOhm @ 4A, 5V
Potencia - Max:-
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-1152-1
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 60V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.8nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:120V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.4A
Email:[email protected]

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