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EPC2110
EPC2110
Modèle de produit:
EPC2110
Fabricant:
EPC
La description:
MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16791 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
EPC2110.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 700µA
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 4A, 5V
Puissance - Max:-
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-1152-1
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 60V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:0.8nC @ 5V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss):120V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.4A
Email:[email protected]

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