العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W631GG6KB15J IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W9412G6KH-5I Image W9412G6KH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W9816G6JB-6I Image W9816G6JB-6I IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W972GG6JB-3 Image W972GG6JB-3 IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q16FWUUIQ TR Image W25Q16FWUUIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W9412G6JH-4 Image W9412G6JH-4 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q32FWBYIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 12WLCSP تحقيق
W25Q40EWSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128JVPIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128FVSJP TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q128JVSIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q256FVCIP Image W25Q256FVCIP IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q128JVSIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128FVEIP IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W948D6FBHX5G IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA تحقيق
W24257S-70LL T/R Image W24257S-70LL T/R IC SRAM 256K PARALLEL 28SO تحقيق
W25X40VSNIG IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W632GG8MB-09 Image W632GG8MB-09 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ تحقيق
W9412G6KH-5I TR Image W9412G6KH-5I TR IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W94AD6KBHX5E Image W94AD6KBHX5E IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W989D2DBJX6I Image W989D2DBJX6I IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W987D6HBGX7E Image W987D6HBGX7E IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W25Q64CVSSIG IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W971GG6KB25I Image W971GG6KB25I IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W948D6FBHX6I IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA تحقيق
W25Q128FVSIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25X10CLSNIG IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W987D6HBGX6E TR Image W987D6HBGX6E TR IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W19B320ABB7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA تحقيق
W25Q16DVSNJP TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q80BVSSIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W29GL064CL7T Image W29GL064CL7T IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q80BVZPIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32FVSSJF TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W632GU8MB-12 Image W632GU8MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W631GG8MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA تحقيق
W632GG8KB-09 Image W632GG8KB-09 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ تحقيق
W29N01HVDINF Image W29N01HVDINF IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA تحقيق
W25Q32JVXGIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8XSON تحقيق
W25X40CLSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q256FVFIQ TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25X10CLSNIG TR IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128JVFIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W9825G2JB-6I Image W9825G2JB-6I IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W25Q64FVSSIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25X20BVSNIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32JVTBIQ Image W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q128FVPJP IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W29GL512PH9B TR Image W29GL512PH9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق2345678910111213141516التالينهاية