العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W631GG6KB-12 TR Image W631GG6KB-12 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W98AD2KBJX6E TR 1GB MSDR X32 166MHZ تحقيق
W25Q128BVEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64JVSFIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q64JVDAIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8DIP تحقيق
W25Q257FVFIQ TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25B40AVSNIG IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC تحقيق
W631GU8KB12I TR Image W631GU8KB12I TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q128FVCIP Image W25Q128FVCIP IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q256FVFIP TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W29N01GVBIAA Image W29N01GVBIAA IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA تحقيق
W632GG6MB11I Image W632GG6MB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W632GU8KT-12 Image W632GU8KT-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W25Q16CVZPJP TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q32JWZPIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W97BH6KBVX2E Image W97BH6KBVX2E IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25Q16BVSSIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W979H6KBVX2I TR Image W979H6KBVX2I TR IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W972GG6JB-3 TR Image W972GG6JB-3 TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25P16VSFIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q32JWSSIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128JVSIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W631GG6KB11I TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W25Q16FWSSIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128JVEIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64FVZEJQ IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q32BVSFJP TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W632GU8KB-12 TR Image W632GU8KB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W9825G2JB-6I TR Image W9825G2JB-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W25Q32FVTBJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q128FWSIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q40CLUXIG TR Image W25Q40CLUXIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W25Q128FVCJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q16FWSNIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25M02GVTBIG TR Image W25M02GVTBIG TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q32FVTCJQ IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q32FVDAIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP تحقيق
W631GU8KB15I TR Image W631GU8KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q20EWSNIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W971GG8SB-25 Image W971GG8SB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q128BVBJG IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q16DVZPJP IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W9825G2JB-75 Image W9825G2JB-75 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W25X40AVSSIG IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8SOIC تحقيق
W948D6FBHX6G IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA تحقيق
W9725G6KB25I Image W9725G6KB25I IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q256JVFIQ IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q80EWSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16CLSNIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC تحقيق
W632GG6MB-11 TR Image W632GG6MB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية