العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q32BVZPJP TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W9412G6KH-4 Image W9412G6KH-4 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W631GU6MB-15 TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W94AD6KBHX5I Image W94AD6KBHX5I IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q64FVZEJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25M02GVZEIT TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W948D2FBJX6E TR Image W948D2FBJX6E TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q32BVSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W9712G6KB25I TR Image W9712G6KB25I TR IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA تحقيق
W631GU6MB-12 Image W631GU6MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA تحقيق
W25Q16DVTCIG Image W25Q16DVTCIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q16DVSNJP IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W971GG6KB-25 Image W971GG6KB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W631GG6KB11I IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W632GU6KB-12 TR Image W632GU6KB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q80EWZPIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q256FVFIG IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W9725G6KB-18 TR Image W9725G6KB-18 TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q64FWZPIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25X10VSNIG IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W29GL256PH9T Image W29GL256PH9T IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25X16AVSFIG IC FLASH 16M SPI 75MHZ 16SOIC تحقيق
W966D6HBGX7I TR Image W966D6HBGX7I TR IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W978H2KBVX2I Image W978H2KBVX2I IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W972GG6JB25I Image W972GG6JB25I IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q64JVSSIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W97AH6KBVX2E Image W97AH6KBVX2E IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25Q80BWZPIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32BVZPJP IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W631GG6MB-12 TR Image W631GG6MB-12 TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA تحقيق
W25Q32BVSSJG TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25X20VZPIG IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W948D6DBHX6E IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA تحقيق
W25Q128JVFIM IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q128BVEJG IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q64CVZEJG IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W9825G6KH-6 TR Image W9825G6KH-6 TR IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q128FVSJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W29GL512PH9T Image W29GL512PH9T IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W632GU8MB-15 Image W632GU8MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W9412G6JH-5I Image W9412G6JH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q128FVPIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W9825G6KH-6I TR Image W9825G6KH-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q64DWSSIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25X40CVSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q256FVFJQ IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W29GL128CH9B TR Image W29GL128CH9B TR IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W97BH6KBQX2E IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W25Q16CLZPIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64CVSFIG IC FLASH 64M SPI 80MHZ 16SOIC تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية