العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W631GG8MB12I TR IC SDRAM 1G 800MHZ IND 78BGA تحقيق
W25Q32FWZPIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W29GL032CH7T Image W29GL032CH7T IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q20EWUXIE TR Image W25Q20EWUXIE TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W25Q128BVEJP TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q80JVSNIQ IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16CVSNJG IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W29N01HVSINA Image W29N01HVSINA IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP تحقيق
W25Q80BLSVIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP تحقيق
W632GG6KB-18 Image W632GG6KB-18 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ تحقيق
W987D6HBGX6I TR Image W987D6HBGX6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W25Q16DVSNIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25P80VSSIG T&R IC FLASH 8M SPI 50MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32JVSFIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W631GU8MB-12 TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA تحقيق
W25Q16BVZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25X80VZPIG T&R IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W97AH2KBQX2I IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W25Q64JVZEIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W632GG8MB-12 TR Image W632GG8MB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA تحقيق
W25M512JVCIQ Image W25M512JVCIQ IC FLASH 512M SPI 24TFBGA تحقيق
W29GL512SH9T Image W29GL512SH9T IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q256FVEIF TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W632GG6KB-12 Image W632GG6KB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q128JVEIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128JVCIQ TR Image W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W972GG8JB25I IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25M02GVTCIT TR Image W25M02GVTCIT TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W25P10VSNIG IC FLASH 1M SPI 40MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64FVSCA2 IC FLASH 64M SPI 104MHZ تحقيق
W25Q80EWBYIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WLCSP تحقيق
W25X16AVDAIZ IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8DIP تحقيق
W972GG8JB-3 TR IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25X10VZPIG T&R IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64FVZPIF TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W98AD2KBJX6I TR 1GB MSDR X32 166MHZ IND تحقيق
W25Q64JVSSIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W631GU8KB11I IC SDRAM 1GBIT 78BGA تحقيق
W632GU6AB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W29GL256SL9C IC FLASH 256M PARALLEL 56TFBGA تحقيق
W25Q80JVZPIQ TR IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W9725G8KB-25 Image W9725G8KB-25 IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA تحقيق
W97AH6KBQX2E IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W25Q80EWSVIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W948D2FBJX5I TR Image W948D2FBJX5I TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W9725G6JB25I Image W9725G6JB25I IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W631GG8KB-11 TR Image W631GG8KB-11 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q16DVUUJP IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q256FVFIG TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q32FVZPIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
سجلات 1,271
سابق789101112131415161718192021التالينهاية