العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q64FVZPIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25X80VZPIG IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W948D6FBHX5I TR Image W948D6FBHX5I TR IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q32JWSSIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128FVTIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64FVTBIP Image W25Q64FVTBIP IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W98AD2KBJX6I IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA تحقيق
W25Q256FVCIP TR Image W25Q256FVCIP TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W631GU6KB-12 Image W631GU6KB-12 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W632GU6KB-15 Image W632GU6KB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q32JVTCIQ TR Image W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 24TFBGA تحقيق
W9412G6KH-5 TR Image W9412G6KH-5 TR IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q32FVSSIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64FWSSIQ TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q256FVEJF TR IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W631GU6KS-15 TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W632GU8KB-15 Image W632GU8KB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q16DVUZIG TR Image W25Q16DVUZIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W25Q80JVZPIQ IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q80EWSSIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W631GG6MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W29GL128CL9C TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TFBGA تحقيق
W25Q32FWXGIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8XSON تحقيق
W9425G6JB-5 Image W9425G6JB-5 IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA تحقيق
W631GU6MB11I TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA تحقيق
W25Q32FWSSIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q80DVSSIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25P16VSSIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q256FVCIF TR Image W25Q256FVCIF TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q16BVSFIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q32FVSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q128BVEJP IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W947D2HBJX5E TR Image W947D2HBJX5E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W971GG8SB25I Image W971GG8SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q257FVFIG TR IC FLASH 256MBIT 16SOIC تحقيق
W25Q256JVFIQ TR IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W632GG8MB12I Image W632GG8MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W25Q16DVSNJG IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W631GU6KB-12 TR Image W631GU6KB-12 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q80DVUXIE TR Image W25Q80DVUXIE TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W947D2HBJX6E Image W947D2HBJX6E IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W631GG6MB15I IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W25Q128FVSIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q256FVBIP Image W25Q256FVBIP IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W631GU6KB12J IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W29GL032CT7B Image W29GL032CT7B IC FLASH 32M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25Q16CVZPJP IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W9816G6IH-6 Image W9816G6IH-6 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II تحقيق
W25Q32FVSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W29GL064CB7B Image W29GL064CB7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق8910111213141516171819202122التالينهاية