العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q64FVTBIG Image W25Q64FVTBIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q32BVZPJG IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W987D2HBJX6E TR Image W987D2HBJX6E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W98AD2KBJX6E IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA تحقيق
W97AH6KBVX2I TR Image W97AH6KBVX2I TR IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25Q64FVSSJQ IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q64FVSSIF IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25X05CLSNIG TR IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W631GG8KB-12 TR Image W631GG8KB-12 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25X20CLSNIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W949D6DBHX5I TR Image W949D6DBHX5I TR IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W632GG8MB-11 Image W632GG8MB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W29GL512SH9B TR Image W29GL512SH9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W631GU8MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA تحقيق
W25Q80JVSSIQ IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32FVDAIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP تحقيق
W25Q64JVSFIM TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W971GG6KB25I TR Image W971GG6KB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W948D2FBJX6E Image W948D2FBJX6E IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q64FVSSIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32FVZEIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W632GU6AB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W9464G6KH-5I Image W9464G6KH-5I IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W29GL256SL9C TR IC FLASH 256M PARALLEL 56TFBGA تحقيق
W25Q16CVSNJP TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W972GG6JB-18 Image W972GG6JB-18 IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q64JVSTIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8VSOP تحقيق
W9725G8KB-18 Image W9725G8KB-18 IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q64FWBYIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16WLCSP تحقيق
W25Q20CLZPIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W948D6FBHX6E Image W948D6FBHX6E IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W979H6KBQX2E IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W632GU6KB11I Image W632GU6KB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W25Q16CVZPJG IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W632GU8KB12I TR Image W632GU8KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W631GG6KB-15 TR Image W631GG6KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q32FWSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25M512JVFIQ IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q16CVSNJG TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q16DVDAIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8DIP تحقيق
W631GG6MB-15 TR Image W631GG6MB-15 TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W25Q80BVZPIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W9816G6IH-6I Image W9816G6IH-6I IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II تحقيق
W25X32VSSIG IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64CVSSJP IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W632GG6KB15I Image W632GG6KB15I IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q32DWSSIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128FVBIP Image W25Q128FVBIP IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q257FVFIG IC FLASH 256MBIT 16SOIC تحقيق
W29N04GVSIAF Image W29N04GVSIAF IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP تحقيق
سجلات 1,271
سابق5678910111213141516171819التالينهاية