Kartu garis

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation adalah perusahaan IC memori yang bergerak di bidang desain, manufaktur, dan layanan penjualan untuk memberikan solusi memori kualitas terbaik kepada pelanggan globalnya. Lini produk Winbond termasuk Memori Flash Penyimpanan Kode, NAND Serial dan Paralel, DRAM Khusus, dan DRAM Seluler.
Produk Winbond banyak digunakan oleh perusahaan di pasar vertikal IoT seperti komputasi, perangkat multimedia yang terhubung, mobil, sistem jaringan dan industri. Winbond menawarkan produk Flash dan DRAM kelas Industri otomotif dan Industrial dengan dukungan jangka panjang. Winbond memiliki sekitar 2.200 karyawan di seluruh dunia, yang mencakup FAB 12 inci di kantor pusatnya di Taichung, Taiwan.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
W25Q64FVTBIG Image W25Q64FVTBIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA Penyelidikan
W25Q32BVZPJG IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W987D2HBJX6E TR Image W987D2HBJX6E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W98AD2KBJX6E IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA Penyelidikan
W97AH6KBVX2I TR Image W97AH6KBVX2I TR IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA Penyelidikan
W25Q64FVSSJQ IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W25Q64FVSSIF IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25X05CLSNIG TR IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W631GG8KB-12 TR Image W631GG8KB-12 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W25X20CLSNIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W949D6DBHX5I TR Image W949D6DBHX5I TR IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Penyelidikan
W632GG8MB-11 Image W632GG8MB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Penyelidikan
W29GL512SH9B TR Image W29GL512SH9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W631GU8MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA Penyelidikan
W25Q80JVSSIQ IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q32FVDAIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP Penyelidikan
W25Q64JVSFIM TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC Penyelidikan
W971GG6KB25I TR Image W971GG6KB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W948D2FBJX6E Image W948D2FBJX6E IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W25Q64FVSSIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q32FVZEIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W632GU6AB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Penyelidikan
W9464G6KH-5I Image W9464G6KH-5I IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Penyelidikan
W29GL256SL9C TR IC FLASH 256M PARALLEL 56TFBGA Penyelidikan
W25Q16CVSNJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Penyelidikan
W972GG6JB-18 Image W972GG6JB-18 IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W25Q64JVSTIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8VSOP Penyelidikan
W9725G8KB-18 Image W9725G8KB-18 IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W25Q64FWBYIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16WLCSP Penyelidikan
W25Q20CLZPIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W948D6FBHX6E Image W948D6FBHX6E IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Penyelidikan
W979H6KBQX2E IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Penyelidikan
W632GU6KB11I Image W632GU6KB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Penyelidikan
W25Q16CVZPJG IC FLASH MEMORY 16MB Penyelidikan
W632GU8KB12I TR Image W632GU8KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W631GG6KB-15 TR Image W631GG6KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W25Q32FWSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25M512JVFIQ IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q16CVSNJG TR IC FLASH MEMORY 16MB Penyelidikan
W25Q16DVDAIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8DIP Penyelidikan
W631GG6MB-15 TR Image W631GG6MB-15 TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Penyelidikan
W25Q80BVZPIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W9816G6IH-6I Image W9816G6IH-6I IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Penyelidikan
W25X32VSSIG IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q64CVSSJP IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W632GG6KB15I Image W632GG6KB15I IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W25Q32DWSSIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q128FVBIP Image W25Q128FVBIP IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Penyelidikan
W25Q257FVFIG IC FLASH 256MBIT 16SOIC Penyelidikan
W29N04GVSIAF Image W29N04GVSIAF IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP Penyelidikan
catatan 1,271