Kartu garis

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation adalah perusahaan IC memori yang bergerak di bidang desain, manufaktur, dan layanan penjualan untuk memberikan solusi memori kualitas terbaik kepada pelanggan globalnya. Lini produk Winbond termasuk Memori Flash Penyimpanan Kode, NAND Serial dan Paralel, DRAM Khusus, dan DRAM Seluler.
Produk Winbond banyak digunakan oleh perusahaan di pasar vertikal IoT seperti komputasi, perangkat multimedia yang terhubung, mobil, sistem jaringan dan industri. Winbond menawarkan produk Flash dan DRAM kelas Industri otomotif dan Industrial dengan dukungan jangka panjang. Winbond memiliki sekitar 2.200 karyawan di seluruh dunia, yang mencakup FAB 12 inci di kantor pusatnya di Taichung, Taiwan.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
W632GU8MB12I Image W632GU8MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Penyelidikan
W25Q64FVZEIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q16CLSSIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC Penyelidikan
W9712G6KB-25 Image W9712G6KB-25 IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA Penyelidikan
W25Q80BLUXIG TR Image W25Q80BLUXIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8USON Penyelidikan
W972GG6JB-25 Image W972GG6JB-25 IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W9864G6KH-6I TR Image W9864G6KH-6I TR IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Penyelidikan
W25Q32FVDAIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP Penyelidikan
W632GU6KB12I TR Image W632GU6KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W632GG8AB-11 Image W632GG8AB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Penyelidikan
W9864G6JH-5 Image W9864G6JH-5 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Penyelidikan
W25Q32JVSTIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8VSOP Penyelidikan
W25Q64FWSSIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25X40CLSNIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25X80AVSSIG IC FLASH 8M SPI 100MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q80BLSSIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Penyelidikan
W29GL256SL9B Image W29GL256SL9B IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W25Q80BVDAIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8DIP Penyelidikan
W972GG8JB-3I IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W25Q16DVSSJP IC FLASH MEMORY 16MB Penyelidikan
W25Q16DVSSIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q16CLSSIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q16JVSNIQ IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC Penyelidikan
W94AD2KBJX5I TR Image W94AD2KBJX5I TR IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W25X20CLSVIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8VSOP Penyelidikan
W25Q16DVSSIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q64CVTBIP IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W971GG8SB-25 TR Image W971GG8SB-25 TR IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W25Q32BVSSJP TR IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W25Q64CVSSJG TR IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W25Q32BVTBJP IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W97BH6KBQX2I IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA Penyelidikan
W972GG6JB25I TR Image W972GG6JB25I TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W25Q128FVCIF Image W25Q128FVCIF IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Penyelidikan
W25Q16CVZPJG TR IC FLASH MEMORY 16MB Penyelidikan
W25Q32DWZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25X20VSNIG T&R IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8SOIC Penyelidikan
W9816G6JH-5 Image W9816G6JH-5 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Penyelidikan
W632GU8MB-12 TR Image W632GU8MB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Penyelidikan
W632GG8MB-15 Image W632GG8MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Penyelidikan
W25Q16DVZPIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W631GU8MB12I TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA Penyelidikan
W25X80VSFIG IC FLASH 8M SPI 75MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25X32VSFIG IC FLASH 32M SPI 75MHZ 16SOIC Penyelidikan
W29GL064CH7B Image W29GL064CH7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W987D2HBJX6I Image W987D2HBJX6I IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W631GU6KB12I TR Image W631GU6KB12I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W631GU6KB12I Image W631GU6KB12I IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W25Q32FVSSIP IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W9864G6IH-6 Image W9864G6IH-6 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Penyelidikan
catatan 1,271