Kartu garis

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation adalah perusahaan IC memori yang bergerak di bidang desain, manufaktur, dan layanan penjualan untuk memberikan solusi memori kualitas terbaik kepada pelanggan globalnya. Lini produk Winbond termasuk Memori Flash Penyimpanan Kode, NAND Serial dan Paralel, DRAM Khusus, dan DRAM Seluler.
Produk Winbond banyak digunakan oleh perusahaan di pasar vertikal IoT seperti komputasi, perangkat multimedia yang terhubung, mobil, sistem jaringan dan industri. Winbond menawarkan produk Flash dan DRAM kelas Industri otomotif dan Industrial dengan dukungan jangka panjang. Winbond memiliki sekitar 2.200 karyawan di seluruh dunia, yang mencakup FAB 12 inci di kantor pusatnya di Taichung, Taiwan.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
W9751G6KB25I TR Image W9751G6KB25I TR IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W29N01HVDINA Image W29N01HVDINA IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA Penyelidikan
W9812G2KB-6 Image W9812G2KB-6 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Penyelidikan
W25Q16DVSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W971GG8JB25I Image W971GG8JB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W9725G6IB-25 Image W9725G6IB-25 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W25Q80BWSSIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Penyelidikan
W631GU6MB12I IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Penyelidikan
W972GG6JB-3I TR Image W972GG6JB-3I TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W631GG6MB-12 Image W631GG6MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Penyelidikan
W25Q80EWSVIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP Penyelidikan
W9816G6JH-6I TR Image W9816G6JH-6I TR IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Penyelidikan
W25Q64CVZPJP TR IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W25Q32FVSSJF IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W972GG8JB-3 IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W25Q64JVZEIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON Penyelidikan
W631GU6KB11I IC SDRAM 1GBIT 96BGA Penyelidikan
W29GL128PH9B TR IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W971GG8KB-25 Image W971GG8KB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W29N02GVSIAF Image W29N02GVSIAF IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP Penyelidikan
W631GG6KB-12 Image W631GG6KB-12 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W979H2KBQX2I IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Penyelidikan
W25Q32FWZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25X16AVSNIG IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q80BWSSIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q128BVFJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
W631GG6KB12J IC SDRAM 1GBIT 96BGA Penyelidikan
W25Q256FVBIP TR Image W25Q256FVBIP TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Penyelidikan
W9812G6KH-5 TR Image W9812G6KH-5 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Penyelidikan
W25Q32FVSFJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W948D6FBHX5I Image W948D6FBHX5I IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Penyelidikan
W632GU6MB11I Image W632GU6MB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Penyelidikan
W632GU8MB12I TR Image W632GU8MB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Penyelidikan
W632GG6KB-15 Image W632GG6KB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W25Q16DVSNIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W632GU8AB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Penyelidikan
W25Q32FVZEIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q128JVFIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC Penyelidikan
W29GL512PL9B TR Image W29GL512PL9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W9725G6KB-18 Image W9725G6KB-18 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W25Q128JVFIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q64FVZPIM IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W9825G6JH-6I Image W9825G6JH-6I IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Penyelidikan
W29GL256SH9B Image W29GL256SH9B IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W25Q128JVPIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q20EWZPIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q64CVTBIG TR IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W25Q64FWZPIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W631GU6KS-12 TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA Penyelidikan
W25Q64FVSSJF TR IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
catatan 1,271