العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q16CVSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W9864G6JH-6I Image W9864G6JH-6I IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q128FVEJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q32JVTCIQ Image W25Q32JVTCIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q16DWSNIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W98AD6KBGX6I 1GB MSDR X16 166MHZ IND تحقيق
W25Q80DLUXIE Image W25Q80DLUXIE IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W29N01GVSIAA Image W29N01GVSIAA IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP تحقيق
W25Q256FVEIQ TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W979H6KBVX2E TR Image W979H6KBVX2E TR IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25Q128FVSIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W632GU6KB15I TR Image W632GU6KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W9725G6KB-25 Image W9725G6KB-25 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W9464G6JH-5 Image W9464G6JH-5 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q64FVTCJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W632GG6AB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W94AD6KBHX5E TR Image W94AD6KBHX5E TR IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W948D6FBHX6E TR Image W948D6FBHX6E TR IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q256JVCIQ Image W25Q256JVCIQ IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W29GL128CL9T TR Image W29GL128CL9T TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W29GL032CB7A IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA تحقيق
W971GG8SB25I TR Image W971GG8SB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W97AH6KBVX2I Image W97AH6KBVX2I IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25Q16FWBYIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WLCSP تحقيق
W97AH2KBVX2E Image W97AH2KBVX2E IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25Q16JVSNIQ TR IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32FWSTIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W988D2FBJX7E Image W988D2FBJX7E IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q128FVPJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q80DVSVIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25B40VSNIG IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q80DVZPIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W29GL032CT7A IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA تحقيق
W25Q40BWZPIG IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8WSON تحقيق
W632GU6MB-15 Image W632GU6MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q64JVZPIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q256FVFJF IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W631GU6KB-11 TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W25Q16FWUXIE TR Image W25Q16FWUXIE TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W25Q64FVSH01 IC FLASH 64M SPI 104MHZ تحقيق
W25Q16CVSFIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W632GG8KB-12 TR Image W632GG8KB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25X32VZEIG IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W631GG6KB-11 TR Image W631GG6KB-11 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q16DVZPJG TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W948D2FBJX5E Image W948D2FBJX5E IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W9825G6JH-6I TR Image W9825G6JH-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W632GG8MB15I Image W632GG8MB15I IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W631GU8KB12I Image W631GU8KB12I IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W631GU6MB15I IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق34567891011121314151617التالينهاية