العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W29GL128CH9T TR Image W29GL128CH9T TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q64DWSFIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q64FVSSJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W9816G6JH-5 TR Image W9816G6JH-5 TR IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II تحقيق
W948D6DBHX5I IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA تحقيق
W632GG6KB-11 TR Image W632GG6KB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q32FWZPIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W9751G6KB-25 Image W9751G6KB-25 IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W632GG8AB-12 Image W632GG8AB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W9816G6JB-6 Image W9816G6JB-6 IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q40EWSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64FVZEIF IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128FVCJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W632GU8AB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W9825G2JB-6 TR Image W9825G2JB-6 TR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W632GG6KB15I TR Image W632GG6KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q40CLSSIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q80DVSNIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W632GU6MB-12 Image W632GU6MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 96VFBGA تحقيق
W97AH6KBQX2I IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W25Q128FVEIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W29GL128CH9T Image W29GL128CH9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q256FVEJQ IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W25Q128FWEIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128FVFIF TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q32DWZEIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W632GU6MB12I Image W632GU6MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W25Q32JVZPIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W29N02GVBIAA Image W29N02GVBIAA IC FLASH 2G PARALLEL 63FBGA تحقيق
W25Q64CVZEJP IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W632GG6MB-12 TR Image W632GG6MB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W25Q32FVTCIG TR Image W25Q32FVTCIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q256JVBIQ Image W25Q256JVBIQ IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q128BVFJG IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W94AD2KBJX5E Image W94AD2KBJX5E IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W987D2HBJX7E TR Image W987D2HBJX7E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W9812G6KH-6I Image W9812G6KH-6I IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W632GU8MB-11 Image W632GU8MB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W25X16VSFIG T&R IC FLASH 16M SPI 75MHZ 16SOIC تحقيق
W972GG8JB-18 IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25X10AVSNIG IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC تحقيق
W94AD2KBJX5E TR Image W94AD2KBJX5E TR IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q256FVFJF TR IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W631GG8MB-15 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA تحقيق
W97BH2KBQX2E IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W988D2FBJX6I Image W988D2FBJX6I IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W29GL256PH9T TR Image W29GL256PH9T TR IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W29N02GWBIBA Image W29N02GWBIBA IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA تحقيق
W9751G8KB25I Image W9751G8KB25I IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA تحقيق
W632GG8KB-15 TR Image W632GG8KB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية