العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W631GU6MB12I TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA تحقيق
W9464G6JH-5I Image W9464G6JH-5I IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W9812G6IH-6 Image W9812G6IH-6 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W632GG6KB12J Image W632GG6KB12J IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W97AH6KBVX2E TR Image W97AH6KBVX2E TR IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25X16VZPIG IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32FVZPJF IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q256FVBJQ IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W25Q256FVEJF IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W631GG6KB15I TR Image W631GG6KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W971GG6SB25I TR Image W971GG6SB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q128JVEIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q256JVEIQ IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W632GU6MB-15 TR Image W632GU6MB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q128FVFJP TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W631GG8KB-15 Image W631GG8KB-15 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W29N01HVBINF Image W29N01HVBINF IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA تحقيق
W25Q32DWSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q64CVTBIG IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q128FWFIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25P40VSNIG IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC تحقيق
W9464G6KH-5 Image W9464G6KH-5 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q128FVPJP TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q64FVXGJQ IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q16DWSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q40EWSVIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q64CVZPJG TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q40BWSVIG IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8VSOP تحقيق
W9725G8KB25I TR Image W9725G8KB25I TR IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q80DVSVIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q64CVZPJP IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W632GG6KB-12 TR Image W632GG6KB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q64FVSTIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W9812G6JB-6I TR Image W9812G6JB-6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA تحقيق
W25Q64FWSFIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q128FVCJF TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25X40VZPIG T&R IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32FVSSIF IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W97BH2KBQX2I IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W9464G6KH-4 Image W9464G6KH-4 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25X64VZEIG IC FLASH 64M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64CVSFJG IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W9825G2JB-75 TR Image W9825G2JB-75 TR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W631GU6MB12J IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA تحقيق
W631GU8KB-15 TR Image W631GU8KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q32FVSSIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32FVZPIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W979H6KBVX2E Image W979H6KBVX2E IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25Q16DVSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25X80VSSIG IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
سجلات 1,271
سابق456789101112131415161718التالينهاية