Tarjeta de línea

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation es una compañía de circuitos integrados de memoria dedicada al diseño, fabricación y servicio de ventas para brindar a sus clientes globales soluciones de memoria de alta calidad. Las líneas de productos de Winbond incluyen Code Storage Flash Memory, Serial y Parallel NAND, Specialty DRAM y Mobile DRAM.
Los productos Winbond son ampliamente utilizados por las empresas en los mercados verticales de IoT, como computación, dispositivos multimedia conectados, automóviles, sistemas de redes e industriales. Winbond ofrece productos de DRAM y productos automotrices e industriales de grado y DRAM con soporte de longevidad. Winbond tiene aproximadamente 2,200 empleados en todo el mundo, que incluye un FAB de 12 pulgadas en su sede en Taichung, Taiwán.
Imagen Número de pieza Descripción Ver
W631GU6MB12I TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Investigación
W9464G6JH-5I Image W9464G6JH-5I IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Investigación
W9812G6IH-6 Image W9812G6IH-6 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Investigación
W632GG6KB12J Image W632GG6KB12J IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Investigación
W97AH6KBVX2E TR Image W97AH6KBVX2E TR IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA Investigación
W25X16VZPIG IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8WSON Investigación
W25Q32FVZPJF IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W25Q256FVBJQ IC FLASH MEMORY 256MB Investigación
W25Q256FVEJF IC FLASH MEMORY 256MB Investigación
W631GG6KB15I TR Image W631GG6KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Investigación
W971GG6SB25I TR Image W971GG6SB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Investigación
W25Q128JVEIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON Investigación
W25Q256JVEIQ IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON Investigación
W632GU6MB-15 TR Image W632GU6MB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Investigación
W25Q128FVFJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W631GG8KB-15 Image W631GG8KB-15 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Investigación
W29N01HVBINF Image W29N01HVBINF IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA Investigación
W25Q32DWSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Investigación
W25Q64CVTBIG IC FLASH MEMORY 64MB Investigación
W25Q128FWFIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Investigación
W25P40VSNIG IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC Investigación
W9464G6KH-5 Image W9464G6KH-5 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Investigación
W25Q128FVPJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W25Q64FVXGJQ IC FLASH MEMORY 64MB Investigación
W25Q16DWSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q40EWSVIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8VSOP Investigación
W25Q64CVZPJG TR IC FLASH MEMORY 64MB Investigación
W25Q40BWSVIG IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8VSOP Investigación
W9725G8KB25I TR Image W9725G8KB25I TR IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA Investigación
W25Q80DVSVIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP Investigación
W25Q64CVZPJP IC FLASH MEMORY 64MB Investigación
W632GG6KB-12 TR Image W632GG6KB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Investigación
W25Q64FVSTIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP Investigación
W9812G6JB-6I TR Image W9812G6JB-6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Investigación
W25Q64FWSFIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC Investigación
W25Q128FVCJF TR IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W25X40VZPIG T&R IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8WSON Investigación
W25Q32FVSSIF IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W97BH2KBQX2I IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA Investigación
W9464G6KH-4 Image W9464G6KH-4 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Investigación
W25X64VZEIG IC FLASH 64M SPI 75MHZ 8WSON Investigación
W25Q64CVSFJG IC FLASH MEMORY 64MB Investigación
W9825G2JB-75 TR Image W9825G2JB-75 TR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Investigación
W631GU6MB12J IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Investigación
W631GU8KB-15 TR Image W631GU8KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Investigación
W25Q32FVSSIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q32FVZPIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W979H6KBVX2E Image W979H6KBVX2E IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Investigación
W25Q16DVSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25X80VSSIG IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8SOIC Investigación
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