Tarjeta de línea

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation es una compañía de circuitos integrados de memoria dedicada al diseño, fabricación y servicio de ventas para brindar a sus clientes globales soluciones de memoria de alta calidad. Las líneas de productos de Winbond incluyen Code Storage Flash Memory, Serial y Parallel NAND, Specialty DRAM y Mobile DRAM.
Los productos Winbond son ampliamente utilizados por las empresas en los mercados verticales de IoT, como computación, dispositivos multimedia conectados, automóviles, sistemas de redes e industriales. Winbond ofrece productos de DRAM y productos automotrices e industriales de grado y DRAM con soporte de longevidad. Winbond tiene aproximadamente 2,200 empleados en todo el mundo, que incluye un FAB de 12 pulgadas en su sede en Taichung, Taiwán.
Imagen Número de pieza Descripción Ver
W631GG6KB-12 TR Image W631GG6KB-12 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Investigación
W98AD2KBJX6E TR 1GB MSDR X32 166MHZ Investigación
W25Q128BVEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W25Q64JVSFIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC Investigación
W25Q64JVDAIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8DIP Investigación
W25Q257FVFIQ TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC Investigación
W25B40AVSNIG IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC Investigación
W631GU8KB12I TR Image W631GU8KB12I TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Investigación
W25Q128FVCIP Image W25Q128FVCIP IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Investigación
W25Q256FVFIP TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC Investigación
W29N01GVBIAA Image W29N01GVBIAA IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA Investigación
W632GG6MB11I Image W632GG6MB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Investigación
W632GU8KT-12 Image W632GU8KT-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Investigación
W25Q16CVZPJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Investigación
W25Q32JWZPIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON Investigación
W97BH6KBVX2E Image W97BH6KBVX2E IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA Investigación
W25Q16BVSSIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W979H6KBVX2I TR Image W979H6KBVX2I TR IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Investigación
W972GG6JB-3 TR Image W972GG6JB-3 TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA Investigación
W25P16VSFIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 16SOIC Investigación
W25Q32JWSSIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC Investigación
W25Q128JVSIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC Investigación
W631GG6KB11I TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA Investigación
W25Q16FWSSIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q128JVEIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON Investigación
W25Q64FVZEJQ IC FLASH MEMORY 64MB Investigación
W25Q32BVSFJP TR IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W632GU8KB-12 TR Image W632GU8KB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Investigación
W9825G2JB-6I TR Image W9825G2JB-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Investigación
W25Q32FVTBJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W25Q128FWSIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q40CLUXIG TR Image W25Q40CLUXIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8USON Investigación
W25Q128FVCJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W25Q16FWSNIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25M02GVTBIG TR Image W25M02GVTBIG TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA Investigación
W25Q32FVTCJQ IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W25Q32FVDAIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP Investigación
W631GU8KB15I TR Image W631GU8KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Investigación
W25Q20EWSNIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W971GG8SB-25 Image W971GG8SB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Investigación
W25Q128BVBJG IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W25Q16DVZPJP IC FLASH MEMORY 16MB Investigación
W9825G2JB-75 Image W9825G2JB-75 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Investigación
W25X40AVSSIG IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8SOIC Investigación
W948D6FBHX6G IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Investigación
W9725G6KB25I Image W9725G6KB25I IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Investigación
W25Q256JVFIQ IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC Investigación
W25Q80EWSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q16CLSNIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC Investigación
W632GG6MB-11 TR Image W632GG6MB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Investigación
registros 1,271