العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W94AD6KBHX5I TR Image W94AD6KBHX5I TR IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W632GG6MB-12 Image W632GG6MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W9812G6JH-5 Image W9812G6JH-5 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q32FWBYIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 12WLCSP تحقيق
W9816G6JH-6I Image W9816G6JH-6I IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II تحقيق
W25Q20EWSVIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W631GG8MB-11 TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA تحقيق
W25Q16CVZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W29GL256SH9T Image W29GL256SH9T IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W9825G6EH-6 Image W9825G6EH-6 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W632GU6MB-11 Image W632GU6MB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W25Q64FVZPIF IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64CVZEJG TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q256FVBIF TR Image W25Q256FVBIF TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25X40BVSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W632GU6KB12J Image W632GU6KB12J IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W632GU6MB-12 TR Image W632GU6MB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 96VFBGA تحقيق
W979H2KBVX2E Image W979H2KBVX2E IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25Q80DVZPIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W39V040FAPZ IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC تحقيق
W25Q128FVTIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W631GG6KS12I IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W25Q64FVTCIP Image W25Q64FVTCIP IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q128FVPIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W632GG6MB-15 Image W632GG6MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W971GG6SB-25 Image W971GG6SB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W967D6HBGX7I TR Image W967D6HBGX7I TR IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W25Q128BVFJG TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q16DVZPIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W972GG6JB-18 TR Image W972GG6JB-18 TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W98AD6KBGX6E IC MEMORY SDRAM 1GB 54VFBGA تحقيق
W949D6DBHX5E Image W949D6DBHX5E IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W631GU8MB11I TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA تحقيق
W25Q40EWSNIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32FWSSIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W29N01GWDIBA Image W29N01GWDIBA IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA تحقيق
W632GG6MB12I Image W632GG6MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W632GG8KB15I Image W632GG8KB15I IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W632GG8KB-11 Image W632GG8KB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W9751G6KB-18 TR Image W9751G6KB-18 TR IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q32DWZPIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32FVSSIF TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W9816G6JH-6 Image W9816G6JH-6 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II تحقيق
W631GG6MB11I TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA تحقيق
W25Q32BVTBJG TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25X20VZPIG T&R IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W25Q80BLSVIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP تحقيق
W9816G6IB-6 Image W9816G6IB-6 IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W632GU8KB12I Image W632GU8KB12I IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية