Line Card

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation เป็น บริษัท ด้านหน่วยความจำ IC ที่ดำเนินธุรกิจด้านการออกแบบการผลิตและการขายเพื่อให้บริการโซลูชั่นหน่วยความจำคุณภาพระดับโลก สายผลิตภัณฑ์ของ Winbond ประกอบด้วยหน่วยความจำแฟลชที่เก็บข้อมูล, NAND แบบขนานและขนาน, DRAM พิเศษและ Mobile DRAM
ผลิตภัณฑ์ Winbond ใช้กันอย่างแพร่หลายโดย บริษัท ในตลาดแนวตั้งของ IoT เช่นคอมพิวเตอร์อุปกรณ์เชื่อมต่อมัลติมีเดียรถยนต์ระบบเครือข่ายและอุตสาหกรรม Winbond นำเสนอผลิตภัณฑ์ Flash และ DRAM สำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์และอุตสาหกรรมโดยมีการสนับสนุนระยะยาว Winbond มีพนักงานประมาณ 2,200 คนทั่วโลกซึ่งประกอบด้วย FAB ขนาด 12 นิ้วที่สำนักงานใหญ่ในเมืองไทจงประเทศไต้หวัน
ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ลักษณะ ดู
W631GG6KB15J IC SDRAM 1GBIT 96BGA การสอบสวน
W9412G6KH-5I Image W9412G6KH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II การสอบสวน
W9816G6JB-6I Image W9816G6JB-6I IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA การสอบสวน
W972GG6JB-3 Image W972GG6JB-3 IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA การสอบสวน
W25Q16FWUUIQ TR Image W25Q16FWUUIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON การสอบสวน
W9412G6JH-4 Image W9412G6JH-4 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II การสอบสวน
W25Q32FWBYIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 12WLCSP การสอบสวน
W25Q40EWSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q128JVPIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON การสอบสวน
W25Q128FVSJP TR IC FLASH MEMORY 128MB การสอบสวน
W25Q128JVSIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q256FVCIP Image W25Q256FVCIP IC FLASH 256M SPI 24TFBGA การสอบสวน
W25Q128JVSIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q128FVEIP IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W948D6FBHX5G IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA การสอบสวน
W24257S-70LL T/R Image W24257S-70LL T/R IC SRAM 256K PARALLEL 28SO การสอบสวน
W25X40VSNIG IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC การสอบสวน
W632GG8MB-09 Image W632GG8MB-09 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ การสอบสวน
W9412G6KH-5I TR Image W9412G6KH-5I TR IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II การสอบสวน
W94AD6KBHX5E Image W94AD6KBHX5E IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA การสอบสวน
W989D2DBJX6I Image W989D2DBJX6I IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA การสอบสวน
W987D6HBGX7E Image W987D6HBGX7E IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA การสอบสวน
W25Q64CVSSIG IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8SOIC การสอบสวน
W971GG6KB25I Image W971GG6KB25I IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA การสอบสวน
W948D6FBHX6I IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA การสอบสวน
W25Q128FVSIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25X10CLSNIG IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W987D6HBGX6E TR Image W987D6HBGX6E TR IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA การสอบสวน
W19B320ABB7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA การสอบสวน
W25Q16DVSNJP TR IC FLASH MEMORY 16MB การสอบสวน
W25Q80BVSSIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W29GL064CL7T Image W29GL064CL7T IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP การสอบสวน
W25Q80BVZPIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W25Q32FVSSJF TR IC FLASH MEMORY 32MB การสอบสวน
W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W632GU8MB-12 Image W632GU8MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ การสอบสวน
W631GG8MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA การสอบสวน
W632GG8KB-09 Image W632GG8KB-09 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ การสอบสวน
W29N01HVDINF Image W29N01HVDINF IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA การสอบสวน
W25Q32JVXGIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8XSON การสอบสวน
W25X40CLSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q256FVFIQ TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC การสอบสวน
W25X10CLSNIG TR IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q128JVFIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC การสอบสวน
W9825G2JB-6I Image W9825G2JB-6I IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA การสอบสวน
W25Q64FVSSIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25X20BVSNIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q32JVTBIQ Image W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 24TFBGA การสอบสวน
W25Q128FVPJP IC FLASH MEMORY 128MB การสอบสวน
W29GL512PH9B TR Image W29GL512PH9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA การสอบสวน
ประวัติ 1,271
ก่อน2345678910111213141516ต่อไปปลาย