状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 1V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±8V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 6-TSOP |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
電力消費(最大): | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
他の名前: | SI3460DDV-T1-GE3TR SI3460DDVT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 666pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 18nC @ 8V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
詳細な説明: | N-Channel 20V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 7.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |