SI3460DDV-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SI3460DDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 43284 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- SI3460DDV-T1-GE3.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-TSOP |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Outros nomes: | SI3460DDV-T1-GE3TR SI3460DDVT1GE3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 666pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 8V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.8V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 20V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 7.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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