Stav | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Původ | Contact us |
Vgs (th) (max) 'Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±8V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | 6-TSOP |
Série: | TrenchFET® |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Ztráta energie (Max): | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Ostatní jména: | SI3460DDV-T1-GE3TR SI3460DDVT1GE3 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 666pF @ 10V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 8V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 1.8V, 4.5V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
Detailní popis: | N-Channel 20V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 7.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |