SI3460DDV-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI3460DDV-T1-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 43284 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SI3460DDV-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 6-TSOP |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Autres noms: | SI3460DDV-T1-GE3TR SI3460DDVT1GE3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 666pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 8V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.8V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | N-Channel 20V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 7.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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