SI3460DDV-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI3460DDV-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 43284 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SI3460DDV-T1-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 6-TSOP |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Andere Namen: | SI3460DDV-T1-GE3TR SI3460DDVT1GE3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 666pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 8V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 20V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 7.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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