SI3459BDV-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SI3459BDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 67512 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- SI3459BDV-T1-GE3.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-TSOP |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 216 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Outros nomes: | SI3459BDV-T1-GE3TR SI3459BDVT1GE3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 33 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 30V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 60V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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