状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
電圧 - テスト: | 860pF @ 10V |
電圧 - ブレークダウン: | 6-TSOP |
同上@ VGS(TH)(最大): | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | TrenchFET® |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 8A (Tc) |
偏光: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
製造元の部品番号: | SI3460BDV-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 24nC @ 8V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 1V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 20V |
静電容量比: | 2W (Ta), 3.5W (Tc) |
Email: | [email protected] |