Condición | New & Unused, Original Packing |
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Origen | Contact us |
Voltaje - Prueba: | 860pF @ 10V |
Tensión - Desglose: | 6-TSOP |
VGS (th) (Max) @Id: | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie: | TrenchFET® |
Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 8A (Tc) |
Polarización: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | SI3460BDV-T1-GE3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 24nC @ 8V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1V @ 250µA |
Característica de FET: | N-Channel |
Descripción ampliada: | N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
Descripción: | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20V |
relación de capacidades: | 2W (Ta), 3.5W (Tc) |
Email: | [email protected] |