SI3460DV-T1-GE3
- Número de pieza:
- SI3460DV-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 34783 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- SI3460DV-T1-GE3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 450mV @ 1mA (Min) |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-TSOP |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.1W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | N-Channel 20V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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