SI3460DV-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI3460DV-T1-GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 34783 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SI3460DV-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 450mV @ 1mA (Min) |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.1W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 20V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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