状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
同上@ VGS(TH)(最大): | 1V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
シリーズ: | TrenchFET® Gen III |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V |
電力 - 最大: | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
他の名前: | SIS903DN-T1-GE3CT |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2565pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 42nC @ 10V |
FETタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
FET特長: | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
詳細な説明: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |