SIS903DN-T1-GE3
SIS903DN-T1-GE3
部品型番:
SIS903DN-T1-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
55469 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SIS903DN-T1-GE3.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
同上@ VGS(TH)(最大):1V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® 1212-8 Dual
シリーズ:TrenchFET® Gen III
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
電力 - 最大:2.6W (Ta), 23W (Tc)
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:PowerPAK® 1212-8 Dual
他の名前:SIS903DN-T1-GE3CT
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2565pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:42nC @ 10V
FETタイプ:2 P-Channel (Dual)
FET特長:Standard
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
詳細な説明:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):6A (Tc)
Email:[email protected]

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