SIS782DN-T1-GE3
SIS782DN-T1-GE3
部品型番:
SIS782DN-T1-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
在庫数量:
12394 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SIS782DN-T1-GE3.pdf

簡潔な

We can supply SIS782DN-T1-GE3, use the request quote form to request SIS782DN-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIS782DN-T1-GE3.The price and lead time for SIS782DN-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIS782DN-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
同上@ VGS(TH)(最大):2.3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® 1212-8
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):9.5 mOhm @ 10A, 10V
電力消費(最大):41W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:PowerPAK® 1212-8
他の名前:SIS782DN-T1-GE3DKR
運転温度:-50°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1025pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:30.5nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:Schottky Diode (Body)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:N-Channel 30V 16A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):16A (Tc)
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考