조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 800mV @ 250µA |
Vgs (최대): | ±5V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
연속: | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
전력 소비 (최대): | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
포장: | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스: | 4-UFBGA |
다른 이름들: | SI8469DB-T2-E1CT |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 900pF @ 4V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
FET 유형: | P-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 4.5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 8V |
상세 설명: | P-Channel 8V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 4.6A (Ta) |
Email: | [email protected] |