Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
NCR100W-12LX NCR100W-12L/SC-73/REEL 7" Q1/T Inchiesta
Z0109MA0,412 Image Z0109MA0,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BT151S-500L,118 Image BT151S-500L,118 THYRISTOR 500V 12A DPAK Inchiesta
BTA316-800C/DGQ Image BTA316-800C/DGQ TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
ACTT6G-800E,127 Image ACTT6G-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 6A I2PAK Inchiesta
BTA212B-600E,118 Image BTA212B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Inchiesta
BT137S-600E,118 Image BT137S-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 8A DPAK Inchiesta
BT139-600G0TQ BT139-600G0T/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
TB100EP TB100/TO-92/STANDARD MARKING * Inchiesta
NXPSC20650Q Image NXPSC20650Q DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC Inchiesta
BTA208X-600E,127 Image BTA208X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220-3 Inchiesta
BTA206X-800ET/L03Q BTA206X-800ET/L03/TO-220F/STAN Inchiesta
BT131-600/DG,412 Image BT131-600/DG,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA208-800B,127 Image BTA208-800B,127 TRIAC 800V 8A TO220AB Inchiesta
BT152-800R,127 Image BT152-800R,127 THYRISTOR 20A 800V TO220AB Inchiesta
BT134-600E,127 Image BT134-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A SOT82-3 Inchiesta
BUJ303B,127 Image BUJ303B,127 TRANS NPN 400V 5A TO220AB Inchiesta
BYV415K-600PQ Image BYV415K-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P Inchiesta
BYR5D-1200PJ BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M Inchiesta
BT137X-600F,127 Image BT137X-600F,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Inchiesta
BTA202X-800E/L01,1 Image BTA202X-800E/L01,1 TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220F Inchiesta
BTA204W-600C,135 Image BTA204W-600C,135 TRIAC 600V 1A SC73 Inchiesta
BTA310X-600E,127 Image BTA310X-600E,127 TRIAC 600V 10A TO220F Inchiesta
Records 873
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