Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BTA204-600C,127 Image BTA204-600C,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Inchiesta
BUJD105AD,118 Image BUJD105AD,118 TRANS NPN 400V 8A DPAK Inchiesta
BTA216X-600F,127 Image BTA216X-600F,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Inchiesta
ACTT10B-800CTNJ ACTT10B-800CTNJ/D2PAK Inchiesta
BT137-600-0TQ Image BT137-600-0TQ TRIAC 600V 8A Inchiesta
BTA202X-600D,127 Image BTA202X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 2A TO220-3 Inchiesta
BT136X-800,127 Image BT136X-800,127 TRIAC 800V 4A TO220-3 Inchiesta
BYT79-500,127 Image BYT79-500,127 DIODE GEN PURP 500V 14A TO220AC Inchiesta
BTA212B-800B,118 Image BTA212B-800B,118 TRIAC 800V 12A D2PAK Inchiesta
BTA420X-800BT,127 Image BTA420X-800BT,127 TRIAC 800V 20A TO220F Inchiesta
Z0107MA,412 Image Z0107MA,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA208S-600F,118 Image BTA208S-600F,118 TRIAC 600V 8A DPAK Inchiesta
BT168GW,115 Image BT168GW,115 THYRISTOR 1A 600V SOT-223 Inchiesta
TYN16X-600CT,127 Image TYN16X-600CT,127 IC SCR 16A 600V TO-220F Inchiesta
BT138X-600G,127 Image BT138X-600G,127 TRIAC 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BTA412Y-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
BT131-800,116 Image BT131-800,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA208X-800E,127 Image BTA208X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220-3 Inchiesta
BTA201-600E,112 Image BTA201-600E,112 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BYV430W-300PQ DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247-3 Inchiesta
BTA201-800E,412 Image BTA201-800E,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA310X-600D,127 Image BTA310X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220F Inchiesta
BTA312-600C,127 Image BTA312-600C,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
BTA216B-600F,118 Image BTA216B-600F,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Inchiesta
BTA201-800E,112 Image BTA201-800E,112 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
Z0109MN,135 Image Z0109MN,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
BYW29E-100,127 Image BYW29E-100,127 DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC Inchiesta
BYC10-600PQ Image BYC10-600PQ DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC Inchiesta
BYC15X-600,127 Image BYC15X-600,127 DIODE GEN PURP 500V 15A TO220F Inchiesta
BTA312B-600D,118 Image BTA312B-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Inchiesta
BT168G,112 Image BT168G,112 THYRISTOR .8A 600V TO-92 Inchiesta
BTA212B-600B,118 Image BTA212B-600B,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Inchiesta
NCR100W-10MX NCR100W-10M/SC-73/REEL 7" Q1/T Inchiesta
BT138Y-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Inchiesta
BTA212B-800E,118 Image BTA212B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 12A D2PAK Inchiesta
BYV415W-600PQ Image BYV415W-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 Inchiesta
ACTT8B-800C0J ACTT8B-800C0/D2PAK/REEL 13" Q1 Inchiesta
BTA316B-600CTJ Image BTA316B-600CTJ BTA316B-600CTJ/TO263/Q1/T1 *STAN Inchiesta
BUJ100,126 Image BUJ100,126 TRANS NPN 400V 1A TO92 Inchiesta
ACT108-800EQP Image ACT108-800EQP TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 Inchiesta
BT131-800E/L01EP BT131-800E/L01/TO-92/STANDARD Inchiesta
BT138-600G,127 Image BT138-600G,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
ACTT2S-800ETNJ ACTT2S-800ETNJ/DPAK Inchiesta
BTA208S-600E,118 Image BTA208S-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 8A DPAK Inchiesta
BT137X-600/DG,127 Image BT137X-600/DG,127 TRIAC 600V 8A TO220F Inchiesta
BYV10X-600PQ Image BYV10X-600PQ DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2 Inchiesta
BT134W-600D,115 Image BT134W-600D,115 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
BYV32G-200,127 Image BYV32G-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 20A I2PAK Inchiesta
BTA312-800C,127 Image BTA312-800C,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
BTA308Y-800C0TQ BTA308Y-800C0T/IITO220 /STANDARD Inchiesta
Records 873