Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BYV29-600,127 Image BYV29-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AC Inchiesta
BT131-600/DG,116 Image BT131-600/DG,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA204S-600D,118 Image BTA204S-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK Inchiesta
BT131-600,412 Image BT131-600,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BT131-800EQP BT131-800E/TO-92/STANDARD MARK Inchiesta
BUJ403A/DG,127 Image BUJ403A/DG,127 TRANS NPN 550V 6A TO220AB Inchiesta
ACTT12X-800CTQ ACTT12X-800CT/TO-220F/STANDARD Inchiesta
BTA310-600E,127 Image BTA310-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Inchiesta
BTA308X-800B0Q BTA308X-800B0/TO-220F/STANDARD Inchiesta
ACTT8B-800C0TJ ACTT8B-800C0T/D2PAK/REEL 13" Q Inchiesta
BYQ28E-200/H,127 Image BYQ28E-200/H,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Inchiesta
BYC10DX-600,127 Image BYC10DX-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F Inchiesta
BTA202X-800E,127 Image BTA202X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220-3 Inchiesta
BTA316X-600C/L02Q BTA316X-600C/L02/TO-220F/STAND Inchiesta
BYV32E-200PQ DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Inchiesta
BTA425Y-800BTQ TRIAC 800V 25A TO220AB Inchiesta
Z0103NA,412 Image Z0103NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BYV74W-400,127 Image BYV74W-400,127 DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247-3 Inchiesta
OT407,412 TRIAC SOT54A Inchiesta
BT137-600E/L01,127 Image BT137-600E/L01,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Inchiesta
BT258-500R,127 Image BT258-500R,127 THYRISTOR 500V 8A TO220AB Inchiesta
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ET SIL3P STANDARD Inchiesta
TB100ML TB100/TO-92/STANDARD MARKING * Inchiesta
ACTT6B-800CNJ ACTT6B-800CN/D2PAK/REEL 13" Q1 Inchiesta
BYV25G-600,127 Image BYV25G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK Inchiesta
BTA204X-600B/L03Q Image BTA204X-600B/L03Q TRIAC 600V 4A Inchiesta
BYR29X-800,127 Image BYR29X-800,127 DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F Inchiesta
OT408,135 Image OT408,135 TRIAC STANDARD TO261-4 Inchiesta
BTA208X-800F,127 Image BTA208X-800F,127 TRIAC 800V 8A TO220-3 Inchiesta
BYW29E-200,127 Image BYW29E-200,127 DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC Inchiesta
BT169G-L,412 Image BT169G-L,412 THYRISTOR 600V SOT54 Inchiesta
BT169G-LML BT169G-L/TO-92/STANDARD MARKIN Inchiesta
BTA312-600E,127 Image BTA312-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Inchiesta
BT137X-800/L02,127 Image BT137X-800/L02,127 TRIAC 800V 8A TO220F Inchiesta
BT136S-800F,118 Image BT136S-800F,118 TRIAC 800V 4A DPAK Inchiesta
BTA410-600ET,127 Image BTA410-600ET,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Inchiesta
BTA312G-600CTQ BTA312G-600CT/I2PAK/STANDARD M Inchiesta
BTA216-600B/DG,127 Image BTA216-600B/DG,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
BTA204S-600F,118 Image BTA204S-600F,118 TRIAC 600V 4A DPAK Inchiesta
BTA312B-800C,118 Image BTA312B-800C,118 TRIAC 800V 12A D2PAK Inchiesta
BT134-800,127 Image BT134-800,127 TRIAC 800V 4A SOT82-3 Inchiesta
BT151S-650R,118 Image BT151S-650R,118 THYRISTOR 650V 12A DPAK Inchiesta
PHE13005,127 Image PHE13005,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Inchiesta
BTA204S-600B,118 Image BTA204S-600B,118 TRIAC 600V 4A DPAK Inchiesta
BTA216X-600B,127 Image BTA216X-600B,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Inchiesta
BTA204X-600B,127 Image BTA204X-600B,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Inchiesta
BTA316-800CTQ BTA316-800CTQ/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
BYC8X-600,127 Image BYC8X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Inchiesta
BYV25F-600,127 Image BYV25F-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC Inchiesta
BTA310-800C,127 Image BTA310-800C,127 TRIAC 800V 10A TO220AB Inchiesta
Records 873